[22a-P6-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

[22a-P6-2] Numerical Study on Phonon Properties of Nitride Compound Semiconductor Alloy by Forced Vibrational Method (Ⅱ)

〇(M2)TAKUYA NAMBU¹, Shin Oyagi¹, Md.Sherajul Islam¹, Akihiro Hashimoto¹ (1.Fukui Univ.)

Keywords:Forced Vibrational Method

窒化物混晶系のような、大規模な不規則系の計算に有用である強制振動子法により、従来の計算方法よりも実際の混晶系の結晶構造に対応した結晶モデルを用いて、3元窒化物混晶系の格子振動解析を行った。In_xAl_1-xNの組成をx=0～1まで変えたときのフォノン状態密度では、どの組成比でもInNとAlNのそれぞれのピークが見られ、InAlN混晶系は自己主張型の混晶系である可能性が高いと考えられる。また、当日はInGaN混晶系についても議論する予定である。