[22a-P6-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22a-P6-3] 4H-SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン基板を用いたMOVPE法InNエピタキシャル成長

〇戸松 侑輝¹、道幸 雄真¹、石丸 大樹¹、橋本 明弘¹ (1.福井大院工)

キーワード：InN

従来からⅢ族窒化物半導体用基板として広く使用されているAl₂O₃基板上にデバイス応用が可能な高品質p型InN層を成長することは現在のところ極めて困難である。一方、グラフェン基板上への窒化物半導体結晶層のエピタキシャル成長は、格子不整合率や熱膨張係数差を大きく緩和できる可能性があり、最近注目されている。今回我々はグラフェン上にMOVPE法を用いて成長したInN層の結晶性に対して、AlN成長初期層が 与える影響について報告する。