[22a-P6-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22a-P6-8] 立体チャネルトランジスタ応用に向けたGaN選択成長の検討

〇黒岩 宏紀¹、武井 優典¹、高橋 言緒²、井手 利英²、清水 三聡²、筒井 一生¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、岩井 洋¹ (1.東工大、2.産総研 先進パワーエレクトロニクス研究センター)

キーワード：GaN、選択成長