[22a-S222-1~8] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[22a-S222-5] IGZOの結晶構造及びCAAC-IGZO物性の組成比依存性

〇山内 諒¹、太田 将志¹、山田 良則¹、石黒 佳美¹、山﨑 舜平¹ (1.半エネ研)

キーワード：IGZO、CAAC、層状構造

In-Ga-Zn Oxide (IGZO)について、我々はCAAC と呼ばれるc軸配向性を有する特徴的な構造を発見した。IGZOはInGaO3(ZnO)m (m=整数)の組成ではIn-O層と(Ga,Zn)-O層による層状構造をとる。本研究では(InGaO3)n(ZnO)mとなる組成の結晶構造を調査し、CAAC-IGZO薄膜を含むIGZO試料はm/nが非整数の場合でも層状構造をとることを発見した。