[22a-S222-1~8] 21.1 Joint Session K

[22a-S222-4] Relationship between arrangement of atoms and oxygen vacancy in IGZO crystal

〇Masahiro Takahashi¹, Tomonori Nakayama¹, Erumu Kikuchi¹, Motoki Nakashima¹, Shunpei Yamazaki¹ (1.SEL)

Keywords:IGZO,oxygen vacancy,first principles calculation

InGaZnO₄結晶の構造解析によると、Ga、Znは同じ位置を占めており、それらは様々な配置を取る可能性がある。今回、酸素と近接するGa、Zn配置の組み合わせが多い計算モデルを作製し、酸素欠損の形成し易さと近接する原子配置との関係について第一原理計算を用いて調べた。その結果、（Ga, Zn）O層において、近接するZnの数が多い酸素ほど酸素欠損を形成し易いことが示唆された。