[22a-S222-1~8] 21.1 Joint Session K

△ [22a-S222-3] Structural relaxation and crystallization of a-IGZO thin films by post annealing

〇Ayaka Suko¹, Junjun Jia¹, Shinichi Nakamura¹, Toshihiro Okajima², Yuzo Shigesato¹ (1.Aoyama Gakuin Univ., 2.SAGA-LS)

Keywords:IGZO,crystallization

a-IGZO の結晶化挙動とデバイス特性変化を解析した。TEM解析はすでに2014年度秋季講演会にて報告した。今回は九州シンクロトロン光研究センターにて各元素のXAFS測定を行った。300˚C焼成膜はTEMやXRDの解析でアモルファスであったが、同径分布では最近接原子の秩序性が向上する変化が見られた。IGZO薄膜はアモルファス構造を保ったまま構造緩和によりデバイス特性が改善されたと考えられる。