[22a-S222-1~8] 21.1 Joint Session K

△ [22a-S222-2] Characteristics of Carbon-doped In-W-O channel material for oxide TFT

〇(M2)Kazunori Kurishima^1,2, Toshihide Nabatame², Nobuhiko Mitoma², Takio Kizu², Kazuhito Tsukagoshi², Tomomi Sawada², Akihiko Ohi², Ippei Yamamoto^3,2, Tomoji Ohishi³, Toyohiro Chikyow², Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.NIMS WPI-MANA, 3.Shibaura Inst.)

Keywords:oxide semiconductor,thin film transistor

In系金属酸化物チャネルを用いた薄膜トランジスタ(TFT)の研究が盛んであるが、Inと酸素の小さな結合解離エネルギーのために、プロセス中に酸素欠損を容易に生成してトランジスタ特性を劣化させる懸念があった。本研究では、C添加したIn-W-O（In_1-xW_xOC）膜のチャネル材料としての有望性について、物質特性及び電気特性（電気伝導率、移動度及びキャリア濃度）から検討した結果を報告する。