2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

16 非晶質・微結晶 » 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[22a-W331-1~12] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

2016年3月22日(火) 09:00 〜 12:15 W331 (西2・3号館)

寺門 信明(東北大)、本間 剛(長岡技科大)

11:30 〜 11:45

[22a-W331-10] SnS薄膜のキャリア濃度の制御

後藤 民浩1 (1.群馬大理工)

キーワード:硫化物半導体、キャリア濃度

太陽電池の低コスト・省資源化が可能な、新たな光吸収材料としてSnS(硫化すず)が期待されている。本研究では、構成元素であるS、もしくはSnとともに熱処理し、SnS薄膜のキャリア濃度の制御を試みる。