[22a-W331-1~12] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[22a-W331-9] Cr-Ge-Te化合物薄膜の相変化挙動

〇畑山 祥吾¹、進藤 怜史¹、安藤 大輔¹、須藤 祐司¹、小池 淳一¹ (1.東北大工)

キーワード：相変化メモリ、Cr-Ge-Te、カルコゲナイド

相変化メモリ(PCRAM)の高温下での使用にはアモルファス相の高い熱的安定性が求められる。先行研究ではGeTeにCrを添加することでアモルファス相の熱的安定性が向上したが、同時に結晶化時に相分離が生じるということがわかった。そこで、本研究ではアモルファス相の熱的安定性が高く相分離しない材料としてCr-Ge-Te化合物であるCr₂Ge₂Te₆(CGT)に注目し、相変化挙動を調査したところ、結晶相の抵抗がアモルファス相の抵抗を上回る材料であることがわかった。