[22a-W331-1~12] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[22a-W331-9] The phase change behaivior of Cr-Ge-Te compound thin film

〇Shogo Hatayama¹, Satoshi Shindo¹, Daisuke Ando¹, Yuji Suto¹, Junichi Koike¹ (1.Tohoku Univ.)

Keywords:PCRAM,Cr-Ge-Te,Chalcogenide

相変化メモリ(PCRAM)の高温下での使用にはアモルファス相の高い熱的安定性が求められる。先行研究ではGeTeにCrを添加することでアモルファス相の熱的安定性が向上したが、同時に結晶化時に相分離が生じるということがわかった。そこで、本研究ではアモルファス相の熱的安定性が高く相分離しない材料としてCr-Ge-Te化合物であるCr₂Ge₂Te₆(CGT)に注目し、相変化挙動を調査したところ、結晶相の抵抗がアモルファス相の抵抗を上回る材料であることがわかった。