[22a-W541-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[22a-W541-1] 放射光を用いたX線光電子分光による成膜後アニールを施したALD-HfO₂/AlGaN界面の評価

〇久保 俊晴¹、西野 剛介¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：AlGaN/GaN HEMT 構造、MIS構造、原子層堆積

HfO₂/AlGaN/GaN MIS構造を有するデバイスのI-V特性改善のため、HfO₂に対する成膜後アニール(PDA)に着目し、PDAの温度とALD-HfO₂/AlGaN界面付近の状態との関係を調べた。特に本研究では、一般的な光電子分光では得られない、5nm厚のHfO₂膜とAlGaN界面の化学状態を放射光を使用したXPS測定により調べ、良好なデバイス動作の鍵となる界面近傍の状態を明らかにすることを目的とした。測定の結果、PDA温度600度で界面付近の酸素のAlGaN側からHfO2側への移動が見られた。