[22a-W541-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[22a-W541-3] Fe層を挿入したTiN電極とpGaNの電流電圧特性

〇池内 勇太¹、若林 整¹、筒井 一生¹、岩井 洋¹、角嶋 邦之¹ (1.東工大総理工)

キーワード：半導体、窒化ガリウム