[22a-W541-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [22a-W541-6] 高温アニールプロセスがGaN MOSFET特性に与える影響

〇西口 賢弥¹、橋詰 保¹ (1.北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター)

キーワード：GaN、MOS、アニール