[22a-W541-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [22a-W541-9] 中性粒子ビームエッチングによるAlGaN/GaN HEMTの素子間リーク電流抑制効果

〇邉見 ふゆみ¹、Thomas Cedric²、Lai Yi-Chun³、肥後 昭男³、Guo Alex⁴、Warnock Shireen⁴、del Alamo Jesus A.⁴、寒川 誠二^2,3、尾辻 泰一¹、末光 哲也¹ (1.東北大通研、2.東北大流体研、3.東北大AIMR、4.MTL MIT)

キーワード：中性粒子ビームエッチング、プラズマダメージ