[22a-W611-1~14] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

△ [22a-W611-5] ラジカル支援有機金属化学気相成長法によるInN結晶成長

〇高井 慎之介¹、蘆 翌¹、岩本 一希¹、小田 修¹、竹田 圭吾¹、近藤 博基¹、石川 健治¹、関根 誠¹、堀 勝¹ (1.名大院工)

キーワード：半導体、窒化インジウム、有機金属化学気相成長法

InNは、高い電子移動度、速い飽和電子速度や0.7 eV程度の狭いバンドギャップを有する重要な材料である。しかし、高温でアンモニアを分解する従来型のMOCVDでは、500℃以上で分解するInNの結晶成長は困難であった。当研究室で開発したラジカル支援MOCVD技術は窒素ガスを原料ガスに使用して、比較的低温でⅢ族窒化物成長が可能であり、InN成膜にも成功した。今回、原料ガスに水素ガスを添加することで成長速度の向上に成功したため報告する。