2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[22a-W611-1~14] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

2016年3月22日(火) 09:00 〜 12:45 W611 (西6号館)

金 載浩(産総研)

11:15 〜 11:30

[22a-W611-9] 水素ラジカルによるレジスト除去における除去速度の酸素添加量依存性

山本 雅史1、梅本 宏信2、大平 圭介3、鹿間 共一1、西山 聖4、堀邊 英夫4 (1.香川高専、2.静大、3.北陸先端大、4.大阪市大)

キーワード:レジスト除去、水素ラジカル、環境にやさしい

レジストの除去には、一般に、有害な薬品や酸素プラズマなどが用いられており、環境負荷やプラズマ中の荷電粒子によるデバイス品質の低下などが課題となっている。そこで、我々はこれまでHot-wire法で生成した水素ラジカルを用いたレジスト除去方式を検討してきたが、除去速度が遅いことが課題の1つで あった。ここでは、水素に微量の酸素を添加することで除去速度の向上を図るとともに、その酸素添加量依存性について報告する。