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[22p-H103-1] SOI基板を用いたSi(100)上の複合面方位CeO2領域間の完全分離
キーワード：方位選択エピタキシー、複合面方位基板、誘電体薄膜
Si(100) 基板上にCeO2 膜の(100)或は(110)の方位を選択できる方位選択エピタキシャル成長(OSE)の研究を行っている. 方位選択性は基板表面の電位分布により制御できるが, 低速電子ビーム照射による方法の採用により複合面方位構造の形成が可能となった. 電子ビーム誘起OSEの実験を進め, 試料面内の結晶方位分布の解析から, (100)と(110)領域の間に遷移領域が存在することが分り, その幅の縮小化が大きな課題である. 抜本的な解決法として, SOI基板にリソグラフィーによりトレンチを形成して, 互いに電気的に絶縁された領域を形成し, 電子ビーム照射領域と非照射領域でそれぞれ(100)と(110)方位のCeO2 膜を成長させる研究を進め, トレンチ断面構造の最適化により両領域間の完全分離が可能であることが分った.