The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

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Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.4 Thin films and New materials

[22p-H103-1~8] 6.4 Thin films and New materials

Tue. Mar 22, 2016 1:00 PM - 3:00 PM H103 (H)

Kentaro Shinoda(AIST)

2:15 PM - 2:30 PM

[22p-H103-6] TiO2 thin films prepared by irradiating a non-equilibrium plasma to a precursor solution

Yuki Masuda1, 〇Kento Horimizu1, Masato Tan1, Shota Kanezashi1, Masayuki Okuya1,2 (1.Grad.School Eng., Shizuoka Univ., 2.Res.Inst.Green Sci.Tech., Shizuoka Univ.)

Keywords:plasma,surface discharge,TiO2

薄膜作製の多くは高温や減圧下での反応が利用されるが、本研究では、常温・常圧下で製膜が可能な誘電体バリア放電に着目した。これまでに本研究グループでは、誘電体バリア放電により生じる非平衡プラズマを利用したZnO膜の単相化を報告した。さらに、前回の大会において、同法を利用したアナターゼ型TiO2相の大気中での製膜を報告した。この際、作製された膜は結晶性が低く、未反応前駆体が残留することが課題となった。そこで、今回は製膜時の雰囲気を調整してプラズマの種類や濃度を変化させるとともに、磁場印加によるプラズマ活性種の空間分布の制御により前駆体の分解反応を促進し、膜の結晶性の向上を試みた。