[22p-H116-1~6] 15.2 II-VI and related compounds

△ [22p-H116-6] The Growth of AgGaTe₂ on Si with Ag₂Te Buffer Layer and Solar Cell Application

〇(D)Aya Uruno¹, Masakazu Kobayashi^1,2 (1.Waseda Univ. Dept. of Elec. Eng. and Biosci., 2.Waseda Univ. Lab. for Mat. Sci. & Tech.)

Keywords:chalcopyrite,Closed Space Sublimation

CdTeは近接昇華法を用いることで低コストかつ変換効率の高い太陽電池が作製できる。そこでTe系I-III-VI₂族カルコパイライト材料に着目した。なかでもAgGaTe₂はEg=1.3eVと太陽電池応用に適している。これまでに近接昇華法を用いてSi基板上にAgGaTe₂が作製を行ってきたが、GaによるSiのメルトバックエッチングが起こってしまう。そこで本研究ではAg₂Te中間層を導入し、膜厚等を変化させながら、Si基板上AgGaTe₂の作製を試みた。また作製後太陽電池特性の評価も試みた。