[22p-H121-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [22p-H121-2] 半極性(10-11)面自立GaN基板上GaInNの成長機構の解析

〇高西 徹¹、大角 純也¹、岩谷 素顕¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大・理工、2.名古屋大・赤﨑記念研究センター)

キーワード：窒化ガリウムインジウム