2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[22p-H121-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年3月22日(火) 13:15 〜 15:00 H121 (本館)

角谷 正友(物材機構)

13:45 〜 14:00

[22p-H121-3] 温度ステップがあるInGaN/GaN MQW成長の反射率変化の解析

家近 泰1 (1.ニューフレアテクノロジー)

キーワード:反射率解析、MOCVD、その場観察