[22p-H121-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22p-H121-4] 500 Torrでの、枚葉式高速回転MOCVD装置による200 mm Si基板上InGaN/GaN MQWの成膜特性

〇家近 泰¹、石川 幸孝¹、佐藤 裕輔¹、高橋 英志¹ (1.ﾆｭｰﾌﾚｱﾃｸﾉﾛｼﾞｰ)

キーワード：InGaN/GaN多重量子井戸、成長圧力、波長均一性