[22p-H121-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [22p-H121-7] GaInNトンネル接合とn型GaNSbによる低温p側構造の作製

〇(M1)鈴木 健太¹、財部 覚¹、小森 大資¹、高須賀 大貴¹、小出 典克¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、上山 智¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大・理工、2.名古屋大・赤﨑記念研究センター)

キーワード：半導体、窒化物