[22p-S222-1~9] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [22p-S222-7] 溶液法で作製したIGZO薄膜のUV照射による不活性化と熱による回復

〇(B)落合 祐輔¹、陳 東京¹、森本 貴明¹、福田 伸子³、大木 義路^1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研、3.産総研 FLEC)

キーワード：IGZO、半導体、UV照射

溶液法を用いて250°Cで作製したIGZO薄膜に紫外光を照射すると、MOSトランジスタのOn電流が著しく減少し、バンドギャップエネルギーE_gが増加する。その後250°Cの熱処理により、On電流が紫外光照射前の状態まで回復し、E_gは再び減少する。これらの結果から、溶液法を用いて250°C焼成したIGZO半導体は、紫外光照射と熱処理によって不活性と活性を繰返す特性があることを見出した。