[22p-S621-1~5] 3.11 フォトニック構造・現象

[22p-S621-3] 【注目講演】フォトリソグラフィで作製したQ値100万を越えるシリコンフォトニック結晶ナノ共振器

〇芦田 紘平¹、岡野 誠²、大塚 実²、関 三好²、横山 信幸²、越野 圭二²、森 雅彦²、高橋 和¹ (1.大阪府大院工、2.産総研)

キーワード：フォトリソグラフィ、シリコンフォトニック結晶

これまで，Q値100万以上のシリコンナノ共振器は電子線描画法によって作製されていた．
今回我々は，フォトリソグラフィ法を用いてシフトL3ナノ共振器，マルチヘテロ構造ナノ共振器を作製し，その特性を評価した．
その結果，マルチヘテロ構造ナノ共振器においてQ値150万を達成したので報告する．