[22p-W541-1~8] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [22p-W541-1] Electrical characteristics of pin-diode fabricated by atomic diffusion bonding

〇yuki yamada¹, miyuki uomoto², takehito shimatsu², masahiro nada¹, hideaki matsuzaki¹ (1.NTT Device Tech. Labs., 2.Tohoku Univ.)

Keywords:wafer bonding,diode,electrical characteristics

半導体ウエハ接合技術は、格子定数にとらわれない材料選択が可能な為、半導体デバイスを作製する上でその設計自由度を高めることが出来る有望な技術である。原子拡散接合は金属薄膜表面の原子拡散を利用することで、常温常圧でのウエハ接合を可能にする手法であり、接合界面の半導体結晶品質の劣化を抑制した接合が期待できる。本研究では、原子拡散法によりPINダイオードを作製し、その電気特性を評価したので報告する。