[22p-W541-1~8] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [22p-W541-2] Fabrication of InSb-HEMT with f_T of over 300 GHz using evaporated SiO_x film

〇(M2)Daisuke Tsuji¹, Kyousuke Isono¹, Tatsuya Taketsuru¹, Sachie Fujikawa¹, Issei Watanabe², Yoshimi Yamashita², Akira Endoh², Shinsuke Hara², Akifumi Kasamatsu², Hiroki Fujishiro¹ (1.Tokyo Univ. of Science, 2.National Institute of Info. & Com. Tech.)

Keywords:HEMT,InSb,device process

これまで我々はInSb-HEMTの特性向上のためMBE成長条件、ヘテロ構造およびプロセスの最適化を行った。そして、ゲート電極形成直前のRIEプラズマが特性劣化の主原因であること、RIEのRF出力を下げることによりプラズマダメージ抑制が可能であることを報告した。今回プロセスを再検証し、従来の表面保護膜TEOS-SiO_xのCVD成膜時にプラズマダメージが入る可能性を見出した。成膜時にプラズマを使用しないSiNや蒸着SiO_xを表面保護膜とするHEMTの特性を評価した。