[22p-W541-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [22p-W541-2] 蒸着SiO_x膜を用いたf_T = 300GHz超InSb-HEMTの作製

〇(M2)辻 大介¹、磯野 恭佑¹、竹鶴 達哉¹、藤川 紗千恵¹、渡邊 一世²、山下 良美²、遠藤 聡²、原 紳介²、笠松 章史²、藤代 博記¹ (1.東理大院基礎工、2.情報通信研究機構)

キーワード：HEMT、InSb、デバイスプロセス

これまで我々はInSb-HEMTの特性向上のためMBE成長条件、ヘテロ構造およびプロセスの最適化を行った。そして、ゲート電極形成直前のRIEプラズマが特性劣化の主原因であること、RIEのRF出力を下げることによりプラズマダメージ抑制が可能であることを報告した。今回プロセスを再検証し、従来の表面保護膜TEOS-SiO_xのCVD成膜時にプラズマダメージが入る可能性を見出した。成膜時にプラズマを使用しないSiNや蒸着SiO_xを表面保護膜とするHEMTの特性を評価した。