[22p-W541-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[22p-W541-4] f_t > 500 GHz を有するメタルサブコレクタInP/InGaAsSb DHBT

〇白鳥 悠太¹、星 拓也¹、柏尾 典秀²、栗島 賢二¹、日暮 栄治³、松崎 秀昭¹ (1.NTT先端集積デバイス研、2.NTTデバイスイノベーションセンタ、3.東京大学)

キーワード：インジウムリン、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、基板接合