[22p-W541-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[22p-W541-5] 再成長S/Dを有するInGaAsマルチゲートMOSFETのLch=16nm動作

〇木下 治紀¹、木瀬 信和¹、祢津 誠晃¹、金澤 徹¹、宮本 恭幸¹ (1.東工大院理工)

キーワード：高移動度チャネル、MOVPE、マルチゲート