16:00 〜 16:15 [5p-C17-9] GaN基板上原子層堆積Al2O3膜における経時的絶縁破壊の温度特性 〇平岩 篤1,2、佐々木 敏夫1、大久保 智3、川原田 洋1,3,4 (1.早大ナノ・ライフ、2.名大未来研、3.早大理工、4.早大材研)