10:45 〜 11:00 [8a-C18-7] [講演奨励賞受賞記念講演] 冷却レートを低減した酸化濃縮プロセスにより作製した高圧縮ひずみGOI pMOSFET 〇金 佑彊1、竹中 充1、高木 信一1 (1.東大院工)