浅田聡志

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発表者・著者、共著者

2017年9月6日(水) 09:00 〜 12:15 A201 (201)

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.6 IV族系化合物（SiC）

[6a-A201-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

11:00 〜 11:15

△ [6a-A201-8] SiC バイポーラトランジスタにおけるベース拡がり抵抗によるオン特性悪化を防ぐための設計条件

〇浅田聡志¹、須田淳¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)