17:00 〜 17:15 [7p-S22-14] GaN-HEMTスイッチング回路より発生する電磁界の周波数特性評価 〇古屋 克己1、井手 利英1、長南 紘志1、鍛冶 良作1、清水 三聡1、森 雅彦1 (1.産総研)