10:30 〜 10:45 [7a-S22-6] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位のアニール挙動 〇堀田 昌宏1、成田 哲生2,3、加地 徹3、上杉 勉2、須田 淳1,3,4 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大材料シス研、4.名大院工)