15:00 〜 15:15 △ [8p-A301-7] Si基板上GaN成長におけるAlN中間層を用いた応力制御メカニズム 〇中原 拓也1、鈴木 道洋1、出浦 桃子1、百瀬 健1、杉山 正和1、中野 義昭1、霜垣 幸浩1 (1.東大院工)