09:15 〜 09:30 △ [7a-C22-2] 低温MBE法により形成したp型単結晶Ge1−xSnx薄膜の熱電特性 〇今井 志明1、髙橋 恒太1,2、中塚 理1,3、財満 鎭明3、黒澤 昌志1,4,5 (1.名大院工、2.JSPS、3.名大未来研、4.名大高等研究院、5.JSTさきがけ)