15:45 〜 16:00 [6p-C21-9] ミニマルファブを用いたCMOSプロセスにおける電気的特性のウェハ面内均一性向上 〇古賀 和博1,2、居村 史人1,2、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構)