09:30 〜 11:30 [6a-PA9-3] RE-ALD形成Al2O3/GeO2/p-Ge MOSキャパシタの電気的特性に及ぼすゲート電極金属の影響 -2 〇(M1)長浜 優1、山田 大地2、王谷 洋平2、福田 幸夫2、岡本 浩1 (1.弘前大理工、2.諏訪東京理科大)