10:15 〜 10:30 △ [6a-A301-6] Naフラックスサファイア溶解法においてポイントシード面積がGaN結晶反りに与える影響 〇(D)山田 拓海1、村上 航介1、中村 幸介1、北村 智子1、垣之内 啓介1、奥村 加奈子1、今西 正幸1、今出 完1、吉村 政志1、森 勇介1 (1.阪大院工)