13:30 〜 15:30 [5p-PA1-39] RF-N2プラズマ照射による4H-SiCポーラスエピタキシャルグラフェンの孔密度制御 〇竹田 直喜1、石丸 大樹1、今井 宏友1、橋本 明弘1 (1.福井大院工)