11:30 〜 11:45 △ [6a-A201-10] 表面保護膜を用いた液中レーザードーピング法によりAlドープされた4H-SiCの電気特性評価 〇(M2)土屋 知大1、諏訪 輝2、池田 晃裕1、中村 大輔1、浅野 種正1、池上 浩1,2 (1.九大シス情、2.九大ギガフォトンNextGLP)