XILUN CHI

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発表者・著者、共著者

2017年9月6日(水) 09:00 〜 12:15 A201 (201)

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.6 IV族系化合物（SiC）

[6a-A201-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

11:15 〜 11:30

▼ [6a-A201-9] Analysis of breakdown phenomena in 4H-SiC p-n junction diodes with a wide range of doping concentration

〇(M1)XILUN CHI¹、Hiroki Niwa¹、Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ.)