Shoichi Sato

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発表者・著者、共著者

2017年9月6日(水) 09:00 〜 12:00 C18 (C18)

一般セッション(口頭講演)
| 10 スピントロニクス・マグネティクス
| 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

[6a-C18-1~12] 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

10.1と10.2と10.3のコードシェアセッションあり

09:30 〜 09:45

▲ [6a-C18-3] Geometrical effect on the spin accumulation signals in ferromagnet/insulator/Si tunnel junctions

〇Shoichi Sato¹、Ryosho Nakane^1,2、Takato Hada¹、Masaaki Tanaka^1,3 (1.The Univ. of Tokyo、2.IIIEE、3.CSRN)