17:15 〜 17:30 [6p-A412-15] ダイヤモンドSGFET(溶液ゲートFET)のデバイスシミュレーション 〇(B)井山 裕太郎1、阿部 修平1、五十嵐 圭為1、稲葉 優文1,2、大井 信敬1、新谷 幸弘1,3、川原田 洋1 (1.早大理工、2.名古屋大、3.横河電機)