13:30 〜 15:30 [6p-PA7-3] Si-GaAsN における Si ドナー活性化機構 〇(M1)塚崎 貴司1、日吉 連1、椎野 直樹1、尾高 拓弥1、黒澤 拓也1、藤田 実樹2、牧本 俊樹1 (1.早大理工、2.一関高専)