KwangWon Jo

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発表者・著者、共著者

2017年9月7日(木) 09:30 〜 11:30 PB3 (国際センター2F)

一般セッション(ポスター講演)
| 13 半導体
| 13.5 デバイス／集積化技術

[7a-PB3-1~9] 13.5 デバイス／集積化技術

09:30 〜 11:30

▼ [7a-PB3-2] Effect of SiGe Layer Thickness in Starting Substrate on Electrical Properties of Ultrathin Body Ge-on-Insulator pMOSFET fabricated by Ge condensation

〇(DC)KwangWon Jo¹、WuKang Kim¹、Mitsuru Takenaka¹、Shinichi Takagi¹ (1.The Univ. of Tokyo, Department of Electrical Engineering and Information Systems)