10:00 〜 10:15 △ [7a-S22-5] 空乏層端部の電子分布を考慮した光等温過渡容量分光法によるn型GaNホモエピタキシャル成長層中の正孔トラップの評価 〇鐘ヶ江 一孝1、堀田 昌宏1、木本 恒暢1、須田 淳1,2,3 (1.京大院工、2.名大 未来材料・システム研究所、3.名大院工)