大場智昭

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発表者・著者、共著者

2017年9月7日(木) 13:45 〜 19:30 C11 (事務室1)

一般セッション(口頭講演)
| 17 ナノカーボン
| 17.3 層状物質

[7p-C11-1~21] 17.3 層状物質

19:00 〜 19:15

[7p-C11-20] 積層SAM/HfO_x ゲート絶縁膜を用いたMoS₂ FET の作製

〇(B)大場智昭¹、居駒遼¹、川那子高暢¹ (1.東工大工)