脇本大樹

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発表者・著者、共著者

2017年9月7日(木) 13:45 〜 18:00 C17 (研修室2)

一般セッション(口頭講演)
| 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
| 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[7p-C17-1~16] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

16:30 〜 16:45

[7p-C17-11] ハライド気相成長法を用いた2インチ（001）β-Ga₂O₃基板上ホモエピタキシャル成長

〇脇本大樹^1,2、ティユクァントゥ²、佐々木公平^1,2、後藤健^1,2、小西敬太³、村上尚³、倉又朗人^1,2、熊谷義直³、山腰茂伸^1,2 (1.タムラ製作所、2.ノベルクリスタル、3.東京農工大)